Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPB110N06L G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB110N06L G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
Подробное описание:
N-Channel 60 V 78A (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13064136
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB110N06L G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
-
Упаковка
Cut Tape (CT)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
78A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 94µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2700 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB110N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPB110N06L G
HTML Спецификация
IPB110N06L G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB110N06LGINCT
IPB110N06LGINDKR
IPB110N06L G-ND
IPB110N06LGXT
SP000204193
IPB110N06LGINTR
IPB110N06LG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB140NF55T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
989
Номер части
STB140NF55T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.53
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BUK969R0-60E,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4690
Номер части
BUK969R0-60E,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.76
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFI2807
MOSFET N-CH 75V 40A TO220AB FP
IRFS5620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IRF7739L2TRPBF
MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
IRFR3303PBF
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK